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IRFD113	文件：253.48 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Forautomaticinsertion ?Compactplasticpackage ?Endstackable ?Fastswitching ?Lowdrivecurrent ?Easilyparalleled ?Excellenttemperaturestability ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION TheHVMDIPt	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD113PBF	文件：253.48 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFF113	文件：176.97 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSField-EffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features ?SOAisPowerDissipationLimited ?NanosecondSwitchingSpeeds ?LinearTransferCharacteristics ?HighInputImpedance ?Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
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更多IP113S供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-16 15:30:00

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