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IPB054N08N3-G

OptiMOS 3 Power-Transistor Features N-channel, normal level

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB054N08N3G

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPB054N08N3G

OptiMOS3Power-TransistorFeaturesN-channel,normallevel

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InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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OptiMOS3Power-TransistorFeaturesN-channel,normallevel

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InfineonInfineon Technologies AG

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更多IPB054N08N3 G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-26 13:26:00

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