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IPB100N10S3	文件：400.23 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.8mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPB107N20N3G	文件：452.77 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplication ?Halogen-freeaccordingtoIEC6124	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB107N20NA	文件：694.75 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoAECQ101 ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 ?Idealforhigh-frequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB108N15N3	文件：438.68 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant;Halogenfree ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB108N15N3G	文件：438.68 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant;Halogenfree ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB108N15N3G	文件：189.68 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor ?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPB108N15N3-G	文件：438.68 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant;Halogenfree ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB100N04S2-04	文件：154.58 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS? Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB100N04S2L-03	文件：154.83 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS? Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB100N04S3-03	文件：202.3 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB100N04S4-H2	文件：165.32 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB100N04S4-H2	文件：140.83 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS?-T2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB100N04S4-H2_12	文件：140.83 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS?-T2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB100N06S2-05	文件：161.31 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB100N06S2L-05	文件：161 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB100N06S3-03	文件：161.99 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS?-T Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB100N06S3-03	文件：193.83 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB100N06S3-03_07	文件：193.83 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB100N06S3-04	文件：168.91 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS-T Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB100N06S3L-03	文件：156.39 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS?-T Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IPB10
功能描述：
MOSFET OptiMOS -T PWR TRANS 100V 100A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IPB100N10S3	INFINEON	23+	TO263	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市科芯源微電子有限公司	IPB100N10S3	INFINEON/英飛凌	24+	TO263	58000	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!	詢價(jià)
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更多IPB10供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-14 15:00:00

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