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AUB015N04

MOSFETSiliconN-ChannelMOS

Applications Single-endedflybackortwo-transistorforwardtopologies. PCpower,PDAdaptor,LCD&PDPTVandLEDlighting. Features Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.2mΩ(typ.) EasytocontrolGateswitching Enhancementmode:Vth=2.5to4.5V

SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd.

順燁電子江蘇順燁電子有限公司

FDMS015N04B

NewProducts,TipsandToolsforPowerandMobileApplications

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IIPP015N04N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPB015N04L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPB015N04LG

OptiMOS3Power-Transistor

OptiMOS?3Power-Transistor Features ?FastswitchingMOSFETforSMPS ?OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?100Ava

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB015N04N

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.5mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·AutomaticTestEquipment ·CurrentRegulators ·DCChoppers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPB015N04N

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPB015N04NG

OptiMOS??Power-Transistor

OptiMOS?3Power-Transistor Features ?FastswitchingMOSFETforSMPS ?OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?100Avala

InfineonInfineon Technologies AG

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IPP015N04N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

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OptiMOS??Power-Transistor

OptiMOS?3Power-Transistor Features ?FastswitchingMOSFETforSMPS ?OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?100Avala

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IPP015N04N G

  • 功能描述：

    MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 120A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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