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IR3315PBF	文件：1.20867 Mbytes Page：13 Pages	LOW EMI CURRENT SENSE HIGH SIDE SWITCH	IRF International Rectifier	IRF
IR3315S	文件：1.20867 Mbytes Page：13 Pages	LOWEMICURRENTSENSEHIGHSIDESWITCH	IRF International Rectifier	IRF
IR3315SPBF	文件：1.20867 Mbytes Page：13 Pages	LOWEMICURRENTSENSEHIGHSIDESWITCH	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315	文件：124.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)=0.07ohm,Id=27A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315	文件：338.67 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Combinewiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤70m? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperati	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF3315L	文件：300.35 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTo-262package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF3315L	文件：197.25 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)=0.082ohm,Id=21A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315LPBF	文件：386.58 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315LPBF	文件：391.31 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315PBF	文件：237.5 Kbytes Page：8 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315PBF	文件：143.01 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315S	文件：189.07 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF3315S	文件：197.25 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)=0.082ohm,Id=21A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315SPBF	文件：386.58 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315SPBF	文件：391.31 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
KSM3315	文件：667.13 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LANE3315NDH	文件：381.17 Kbytes Page：6 Pages	1WattOutputPower	WALL Wall Industries Inc	WALL
LANE3315NH	文件：381.17 Kbytes Page：6 Pages	1WattOutputPower	WALL Wall Industries Inc	WALL
LP3315	文件：424.14 Kbytes Page：8 Pages	1.2MHzFixed-FrequencyPWMOperation	POWERLowpower Semiconductor inc 微源半導(dǎo)體微源半導(dǎo)體股份有限公司	POWER
LTC3315A	文件：1.4995 Mbytes Page：16 Pages	1.75ASynchronousStep-DownRegulatorin1.6mm×1mmWLCSP FEATURES -VOUTRange:0.5Vto3.65V -2MHzSwitchingFrequency -LowRippleBurstMode?orForcedContinuous ModeofOperation -HighEfficiency:30mΩNMOS,100mΩPMOS -PeakCurrentModeControl -22nsMinimumOn-Time -WideBandwidth,FastTransientResponse -SafelyToleratesInductor	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IR3315P
功能描述：
功率驅(qū)動器IC 40V 20A
RoHS：
否
制造商：
Micrel
產(chǎn)品：
MOSFET Gate Drivers
類型：
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
電源電壓-最大：
30 V
電源電壓-最?。?/span>
2.75 V
最大工作溫度：
+ 85 C
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
SOIC-8
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市雅芯通科技有限公司	IR3315PBF	INFINEON/英飛凌	24+	N/A	5000	只做正品原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	IR3315PBF	IR	1028		50	原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IR3315PBF	IR	24+	TO-220FL	8866		詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	IR3315PBF	IR	23+	TO-220-5	8238		詢價
深圳市博浩通科技有限公司	IR3315PBF	IR	23+	TO-220	7750	全新原裝優(yōu)勢	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IR3315PbF	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價
上海意淼電子科技有限公司	IR3315PBF	MOT	23+	DIP	6500	全新原裝假一賠十	詢價
深圳市華來深電子有限公司	IR3315PBF	IR	23+	TO-220	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IR3315PBF	IR	20+	na	65790	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價
上海市鑫鴻達(dá)電子	IR3315PBF	International Rectifier	2022+		1	全新原裝貨期兩周	詢價

更多IR3315P供應(yīng)商更新時間2025-1-6 14:01:00

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