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IRF3315	文件：124.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)=0.07ohm,Id=27A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315	文件：338.67 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Combinewiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤70m? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperati	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF3315L	文件：300.35 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTo-262package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF3315L	文件：197.25 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)=0.082ohm,Id=21A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315LPBF	文件：386.58 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315LPBF	文件：391.31 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315PBF	文件：237.5 Kbytes Page：8 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315PBF	文件：143.01 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315S	文件：189.07 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF3315S	文件：197.25 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)=0.082ohm,Id=21A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315SPBF	文件：386.58 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315SPBF	文件：391.31 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
KSM3315	文件：667.13 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LANE3315NDH	文件：381.17 Kbytes Page：6 Pages	1WattOutputPower	WALL Wall Industries Inc	WALL
LANE3315NH	文件：381.17 Kbytes Page：6 Pages	1WattOutputPower	WALL Wall Industries Inc	WALL
LP3315	文件：424.14 Kbytes Page：8 Pages	1.2MHzFixed-FrequencyPWMOperation	POWERLowpower Semiconductor inc 微源半導(dǎo)體微源半導(dǎo)體股份有限公司	POWER
LTC3315A	文件：1.4995 Mbytes Page：16 Pages	1.75ASynchronousStep-DownRegulatorin1.6mm×1mmWLCSP FEATURES -VOUTRange:0.5Vto3.65V -2MHzSwitchingFrequency -LowRippleBurstMode?orForcedContinuous ModeofOperation -HighEfficiency:30mΩNMOS,100mΩPMOS -PeakCurrentModeControl -22nsMinimumOn-Time -WideBandwidth,FastTransientResponse -SafelyToleratesInductor	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：2.61766 Mbytes Page：28 Pages	5V,Dual6A/Dual-Phase12AStep-DownDC/DCRegulator	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：2.79594 Mbytes Page：26 Pages	5V,12.5ASynchronousStep-DownSilentSwitcherin3mmx3mmLQFN	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：1.78044 Mbytes Page：22 Pages	Dual5V,2ASynchronousStep-DownDC/DCsin2mm?2mmLQFN	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IR3315STRL
功能描述：
電源開關(guān) IC - 配電 AUTO PRGM CURRENT SENSE HI SIDE SWITCH
RoHS：
否
制造商：
Exar
輸出端數(shù)量：
1
開啟電阻（最大值）：
85 mOhms
開啟時(shí)間（最大值）：
400 us
關(guān)閉時(shí)間（最大值）：
20 us
工作電源電壓：
3.2 V to 6.5 V
最大工作溫度：
+ 85 C
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
SOT-23-5

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市鑫宇楊電子科技有限公司	IR3315STRL	IR	2020+	SOP	350000	100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IR3315STRL	IR	22+	SOP	6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IR3315STRL	IR	23+	SOP	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IR3315STRL	IR	23+	SOP	7000		詢價(jià)
上海市鑫鴻達(dá)電子	IR3315STRLPBF	International Rectifier	2022+		1	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	IR3315STRLPBF	IR	22+	NA	30000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市富芯樂電子科技有限公司	IR3315STRLPBF	IRVISHAY	22+	NA	35000	全新原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	IR3315STRRPBF	IR	23+	TO-263	8560	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	IR3315STRRPBF	IR	2023+	TO-263	80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	IR3315STRRPBF	IR	24+	TO-263	35200	一級(jí)代理/放心采購	詢價(jià)

更多IR3315STRL供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-5 9:00:00

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