国产午夜福利不卡,3344成年在线视频免费下载

首頁 >IRF1104L>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRF1104L	文件：208.86 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.009? ID=100A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignth	IRF International Rectifier	IRF
IRF1104LPBF	文件：263.14 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.009? ID=100A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF1104PBF	文件：190.33 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=40V,RDS(on)=0.009廓,ID=100A) VDSS=40V RDS(on)=0.009? ID=100A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignth	IRF International Rectifier	IRF
IRF1104PBF	文件：191.29 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1104S	文件：208.86 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.009? ID=100A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignth	IRF International Rectifier	IRF
IRF1104SPBF	文件：263.14 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.009? ID=100A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104	文件：90.45 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.008? ID=104A? Description FifthGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104L	文件：203.35 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive VDSS=40V RDS(on)=0.008? ID=104A? Description FifthGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104LPBF	文件：222.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.008? ID=104A? Description FifthGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104PBF	文件：172.66 Kbytes Page：9 Pages	Logic-LevelGateDrive VDSS=40V RDS(on)=0.008? ID=104A? Description FifthGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104S	文件：194.25 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnologyLogic-LevelGateDrive VDSS=40V RDS(on)=0.008? ID=104A? Description FifthGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104S	文件：203.35 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive VDSS=40V RDS(on)=0.008? ID=104A? Description FifthGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104SPBF	文件：222.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.008? ID=104A? Description FifthGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IS1104	文件：545.4 Kbytes Page：10 Pages	SwitchingModePowerSupply	ISOCOM ISOCOM COMPONENTS	ISOCOM
ISF1104	文件：295.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=110mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
ISP1104	文件：494.75 Kbytes Page：19 Pages	AdvancedUniversalSerialBustransceiver Generaldescription TheISP1104UniversalSerialBus(USB)transceiveriscompliantwiththeUniversalSerialBusSpecificationRev.2.0.TheISP1104cantransmitandreceiveUSBdataatfull-speed(12Mbit/s).ItallowssingleanddifferentialinputmodesselectablebyaMODEinput. Features ■	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
ISP1104W	文件：494.75 Kbytes Page：19 Pages	AdvancedUniversalSerialBustransceiver Generaldescription TheISP1104UniversalSerialBus(USB)transceiveriscompliantwiththeUniversalSerialBusSpecificationRev.2.0.TheISP1104cantransmitandreceiveUSBdataatfull-speed(12Mbit/s).ItallowssingleanddifferentialinputmodesselectablebyaMODEinput. Features ■	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
JFN1104LS-AR	文件：1.09365 Mbytes Page：23 Pages	Widerangetemperatureapplicableproduct	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
JGN1104LS-AR	文件：649.69 Kbytes Page：23 Pages	Widerangetemperatureapplicableproduct	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
KAN1104RR	文件：818.5 Kbytes Page：2 Pages	HALF-PITCHLOWPROFILEDIPSWITCHES	E-SWITCH E-switch	E-SWITCH

12 3 >>>

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF1104L
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市匯萊威科技有限公司	IRF1104L	IR	24+	TO-262	501141	免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF1104L	IR	24+	TO-262	8866		詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRF1104L	IR	2015+	TO-262	12500	全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRF1104L	IR	23+	TO-262	7600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRF1104L	IR	23+	TO-262	35890		詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRF1104L	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	IRF1104L	IR	23+	TO-262-3	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRF1104L	IR	1948+	TO-262	6852	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價(jià)
深圳市斌騰達(dá)科技有限公司	IRF1104L	INFINE0N	21+	I2PAK (TO-262)	32568	100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價(jià)格(誠信經(jīng)營	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	IRF1104L	IR	2020+	TO-262	16800	絕對原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢!?	詢價(jià)

更多IRF1104L供應(yīng)商更新時間2024-12-23 17:06:00

詳細(xì)參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫存