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IRF1104S	文件：208.86 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.009? ID=100A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignth	IRF International Rectifier	IRF
IRF1104SPBF	文件：263.14 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.009? ID=100A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF1104SPBF_15	文件：272.44 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104	文件：90.45 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.008? ID=104A? Description FifthGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104L	文件：203.35 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive VDSS=40V RDS(on)=0.008? ID=104A? Description FifthGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104LPBF	文件：222.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.008? ID=104A? Description FifthGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104PBF	文件：172.66 Kbytes Page：9 Pages	Logic-LevelGateDrive VDSS=40V RDS(on)=0.008? ID=104A? Description FifthGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104S	文件：194.25 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnologyLogic-LevelGateDrive VDSS=40V RDS(on)=0.008? ID=104A? Description FifthGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104S	文件：203.35 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive VDSS=40V RDS(on)=0.008? ID=104A? Description FifthGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104SPBF	文件：222.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.008? ID=104A? Description FifthGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IS1104	文件：545.4 Kbytes Page：10 Pages	SwitchingModePowerSupply	ISOCOM ISOCOM COMPONENTS	ISOCOM
ISF1104	文件：295.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=110mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
ISP1104	文件：494.75 Kbytes Page：19 Pages	AdvancedUniversalSerialBustransceiver Generaldescription TheISP1104UniversalSerialBus(USB)transceiveriscompliantwiththeUniversalSerialBusSpecificationRev.2.0.TheISP1104cantransmitandreceiveUSBdataatfull-speed(12Mbit/s).ItallowssingleanddifferentialinputmodesselectablebyaMODEinput. Features ■	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
ISP1104W	文件：494.75 Kbytes Page：19 Pages	AdvancedUniversalSerialBustransceiver Generaldescription TheISP1104UniversalSerialBus(USB)transceiveriscompliantwiththeUniversalSerialBusSpecificationRev.2.0.TheISP1104cantransmitandreceiveUSBdataatfull-speed(12Mbit/s).ItallowssingleanddifferentialinputmodesselectablebyaMODEinput. Features ■	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
JFN1104LS-AR	文件：1.09365 Mbytes Page：23 Pages	Widerangetemperatureapplicableproduct	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
JGN1104LS-AR	文件：649.69 Kbytes Page：23 Pages	Widerangetemperatureapplicableproduct	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
KAN1104RR	文件：818.5 Kbytes Page：2 Pages	HALF-PITCHLOWPROFILEDIPSWITCHES	E-SWITCH E-switch	E-SWITCH
KAN1104RT	文件：818.5 Kbytes Page：2 Pages	HALF-PITCHLOWPROFILEDIPSWITCHES	E-SWITCH E-switch	E-SWITCH
KAS1104ET	文件：147.21 Kbytes Page：2 Pages	SLIDEDIPSWITCHES	E-SWITCH E-switch	E-SWITCH
KAS1104RT	文件：147.21 Kbytes Page：2 Pages	SLIDEDIPSWITCHES	E-SWITCH E-switch	E-SWITCH

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詳細參數(shù)

型號：
IRF1104S
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市匯萊威科技有限公司	IRF1104S	IR	24+	TO-263	501251	免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRF1104S	IR	2016+	TO-263	6528	房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市星佑電子有限公司	IRF1104S	IR	05+	原廠原裝	551	只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應	詢價
深圳市利加科技有限公司	IRF1104S	IR	16+	SOP	4	全新原裝現(xiàn)貨	詢價
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深圳市一線半導體有限公司	IRF1104S	IR	24+	D2-Pak	8866		詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRF1104S	IR	23+	TO-263	35890		詢價
深圳市亞泰盈科電子有限公司	IRF1104S	IR		IR	9856	只做原裝貨值得信賴	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IRF1104S	IRF	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市華來深電子有限公司	IRF1104S	IR	23+	TO-263	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價

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