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IRFP251	文件：518.69 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMosfets	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFP251	文件：493.77 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel(HexfetTransistors)	IRF International Rectifier	IRF
IRFP251	文件：49.56 Kbytes Page：1 Pages	HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries FEATURES: ?Fastswitchingtimes ?LowRDS(on)HDMOS?process ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Excellenthighvoltagestability ?Lowinputcapacitance ?Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: ?Switchingpowersupplies ?Motorcontrols ?AudioAmplifiers ?Invert	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP251	文件：67.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS251	文件：265.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
ISCNH251D	文件：309.73 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
KBPC251	文件：390.23 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE-50to1000VoltsCURRENT-25Amperes FEATURES MetalcaseforMaximumHeatDissipation Surgeoverloadratings-400Amperes *Lowforwardvoltagedrop	DCCOM Dc Components	DCCOM
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KDV251M	文件：172.47 Kbytes Page：2 Pages	VARIABLECAPACITANCEDIODESILICONEPITAXIALPLANARDIODE(VCOFORCB,C/PPLL) VCOFORC/P,CBPLL FEATURES ?LowSeriesResistance:0.6Ω(Max.) ?HighCapacitanceRatio:1.7(Min.)~2.2(Max.)	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
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KDV251S	文件：349.65 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23PACKAGE VCOFORC/P,CBPLL FEATURES ?LowSeriesResistance:0.6Ω(Max.) ?HighCapacitanceRatio:1.7(Min.)~2.2(Max.)	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KDV251S	文件：40.98 Kbytes Page：2 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF251R
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-204AE

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多IRF251R供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-15 16:24:00

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