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IRF2907ZSPBF	文件：785.48 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5m? ID=160A Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprove	IRF International Rectifier	IRF
IRF2907ZSPBF	文件：426.18 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF2907ZSTRLPBF	文件：426.18 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFC2907B	文件：18.66 Kbytes Page：1 Pages	HEXFETPowerMOSFETDieinWaferForm ●100TestedatProbe ●AvailableinTapeandReel,ChipPack,SawnonFilmandGelPack** ●UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFP2907	文件：115.6 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=4.5mohm,Id=209A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingte	IRF International Rectifier	IRF
IRFP2907	文件：18.66 Kbytes Page：1 Pages	HEXFETPowerMOSFETDieinWaferForm ●100TestedatProbe ●AvailableinTapeandReel,ChipPack,SawnonFilmandGelPack** ●UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFP2907	文件：826.47 Kbytes Page：9 Pages	IntegratedStarterAlternator	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFP2907	文件：334.48 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP2907PBF	文件：207.31 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET(VDSS=75V,RDS(on)=4.5m廓,ID=209A) Description ThisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiv	IRF International Rectifier	IRF
IRFP2907PBF	文件：224.07 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFP2907Z	文件：311.77 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5m? ID=90A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunction	IRF International Rectifier	IRF
IRFP2907Z	文件：335.09 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP2907ZPBF	文件：268.69 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5m? ID=90A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRF International Rectifier	IRF
IRFP2907ZPBF	文件：281.79 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
JS2907	文件：276.79 Kbytes Page：14 Pages	Rad-hard60V,0.6APNPtransistor Features ?Hermeticpackages ?ESCCqualified ?100krad Description The2N2907AHRisabipolartransistorabletooperateundersevereenvironment conditionsandradiationexposureprovidinghighimmunitytototalionizingdose (TID). QualifiedasperESCC5202/001specificationandava	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
JSR2907	文件：276.79 Kbytes Page：14 Pages	Rad-hard60V,0.6APNPtransistor Features ?Hermeticpackages ?ESCCqualified ?100krad Description The2N2907AHRisabipolartransistorabletooperateundersevereenvironment conditionsandradiationexposureprovidinghighimmunitytototalionizingdose (TID). QualifiedasperESCC5202/001specificationandava	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
KMBT2907	文件：119.16 Kbytes Page：3 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier ■Features ●CollectorCurrenttoContinuous:IC=-600mA ●PowerDissipation:PD=250mW	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
KMBT2907A	文件：838.42 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
KMBT2907AT	文件：884.67 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistors ■Features ●SmallPackage ●ComplementarytoMMBT2222AT	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
KN2907	文件：219.34 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.);VCE=-30V,VEB=-0.5V. ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.);IC=-150mA,IB=-15mA. ?ComplementarytotheKN2222/2222A.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF2907ZSHR
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRF2907ZSMOS(場效應(yīng)管)	IR	23+	D2-PAK	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IRF2907ZSMOS(場效應(yīng)管)	IR	23+	D2-PAK	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	IRF2907ZSMOS(場效應(yīng)管)	IR	2022	D2-PAK	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳龐田科技有限公司	IRF2907ZSMOS(場效應(yīng)管)	INFINEON/英飛凌	2023+	TO-263	1000	AI智能識別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	IRF2907ZSPBF	IR	17+	TO-263	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	IRF2907ZSPBF	IR	24+	SOT	3000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	IRF2907ZSPBF	IR	23+	TO-263	28500	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRF2907ZSPbF	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	IRF2907ZSPBF	IR	23+	TO-263	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市納立科技有限公司	IRF2907ZSPBF	IR	三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價(jià)

更多IRF2907ZSHR供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 9:00:00

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