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IRFI3710	文件：161.21 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF
IRFN3710	文件：132.03 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORN-CHANNEL(BVdss=100V,Rds(on)=0.028ohm,Id=45A) 100Volt,0.028?,HEXFET Generation5HEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignforwhichHEXFETsarewellknown,prov	IRF International Rectifier	IRF
IRFN3710	文件：46.66 Kbytes Page：2 Pages	N??HANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP3710	文件：185.43 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.025W,Id=57A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP3710	文件：334.79 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Fastswitching ?FullyAvalancheRated ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤25m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP3710PBF	文件：233.93 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.025廓,ID=57A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP3710PBF	文件：234.89 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3710Z	文件：218.1 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3710Z	文件：335.72 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤18m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR3710ZPBF	文件：275.12 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3710ZPBF	文件：688.61 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFR3710ZPBF	文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3710ZPBF	文件：4.26598 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3710ZPBF	文件：4.70307 Mbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3710ZPBF	文件：4.26849 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3710ZPBF	文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3710ZTRL	文件：4.70307 Mbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3710ZTRLPBF	文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3710ZTRLPbF	文件：688.61 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFR3710ZTRPBF	文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF3710ZSTRRPBF
功能描述：
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 82nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市華來深電子有限公司	IRF3710ZSTRRPBF	IR	23+	TO-263	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
上海市鑫鴻達(dá)電子	IRF3710ZSTRRPBF	International Rectifier	2022+		1	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
深圳市斌騰達(dá)科技有限公司	IRF3710ZSTRRPBF	Infineon Technologies	21+	D2PAK	800	100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠信經(jīng)營)!	詢價(jià)
深圳市拓億芯電子有限公司	IRF3710ZSTRRPBF	IR	23+	SOT263	30000	代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
艾睿國際（香港）有限公司	IRF3710ZSTRRPBF	IR	2021+	SOT263	100500	一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IRF3710ZSTRRPBF	INFINEON	1503+	TO-263	3000	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
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京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IRF3710ZSTRRPBF	IR	21+	SOT263	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
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更多IRF3710ZSTRRPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-25 10:41:00

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