精品免费一区二区三区,国产美女视频一区二区三区,欧美人与ZOZOXXXX视频

首頁 >IRF520NPBF>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRF520NPBF	文件：178.07 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET? Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF520NPBF	文件：1.69112 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRF520NPBF_15	文件：179.03 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF520NS	文件：185.16 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=9.7A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF520NS	文件：1.09122 Mbytes Page：10 Pages	Low-profilethrough-hole(IRF520NL) Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowin	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF520NS	文件：195.99 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF520NS	文件：188.95 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF520NS	文件：2.66307 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRF520NSPBF	文件：405.26 Kbytes Page：10 Pages	Advamced{rpcessTechnologySurfaceMount Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF520NSPBF	文件：414.57 Kbytes Page：11 Pages	FASTSWITCHING	IRF International Rectifier	IRF
IRF520NSTRLPBF	文件：414.57 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF520NSTRR	文件：195.99 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF520PBF	文件：224.76 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF520PBF	文件：135.35 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF520S	文件：173.94 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF520S	文件：212.59 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?SurfaceMount ?AvailableinTapeandReel ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?175°COperatingTemperature ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF520SPBF	文件：212.59 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF520V	文件：200.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.165ohm,Id=9.6A) Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF520VL	文件：129.08 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.165ohm,Id=9.6A) Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF520VLPBF	文件：225.14 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

12 3 >>>

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF520NPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRF520NPBF	IR	2020+	TO-220	22000	全新原裝正品現(xiàn)貨庫存價格優(yōu)勢	詢價
深圳市安博威科技有限公司	IRF520NPBF	INFINEON/IR	18+	TO-220-3	750		詢價
深圳市品優(yōu)時代科技有限公司	IRF520NPBF	INFINEON/IR	1907+	NA	1000	20年老字號,原裝優(yōu)勢長期供貨	詢價
深圳市金嘉銳電子有限公司	IRF520NPBF	IR	2024+	TO-220AB	32560	原裝優(yōu)勢絕對有貨	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRF520NPBF	Infineon Technologies	24+	TO-220AB	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市龍瀚電子有限公司	IRF520NPBF	IR	16+	TO-220	6223	全新原裝/深圳現(xiàn)貨庫2	詢價
深圳市賽爾通科技有限公司	IRF520NPBF	IR	23+	TO-220	65400		詢價
深圳市納艾斯科技有限公司	IRF520NPBF	IR	2020+	TO-220	8000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	IRF520NPBF	INFINEON/英飛凌	20+	TO-220	300	進(jìn)口原裝假一賠十支持含稅	詢價
深圳市斌能達(dá)電子科技有限公司	IRF520NPBF	VBSEMI/臺灣微碧	23+	TO-220AB	2000	全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成	詢價

更多IRF520NPBF供應(yīng)商更新時間2024-12-23 11:04:00

詳細(xì)參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫存