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IRF5210LPBF	文件：696.34 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofotherapplications. ●AdvancedProces	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210LPBF	文件：316.18 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210PBF	文件：194.51 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210S	文件：186.9 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.06ohm,Id=-40A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210S	文件：296.67 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF5210S	文件：998.16 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch100VFastSwitchingMOSFETs 100EASGuaranteed GreenDeviceAvailable SuperLowGateCharge ExcellentCdV/dteffectdecline AdvancedhighcelldensityTrenchtechnology	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
IRF5210SPBF	文件：696.34 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofotherapplications. ●AdvancedProces	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210SPBF	文件：316.18 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210SPBF	文件：318.93 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF5210STRLPBF	文件：316.18 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210STRR	文件：207.79 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFG5210	文件：191.63 Kbytes Page：12 Pages	200V,Combination2N-2P-CHANNELHEXFETMOSFETTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFG5210	文件：192.64 Kbytes Page：12 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFH5210PBF	文件：239.08 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFH5210PBF	文件：244.58 Kbytes Page：9 Pages	SecondarySideSynchronousRectification	IRF International Rectifier	IRF
IRFH5210TRPBF	文件：239.08 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI5210	文件：159.21 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFM5210	文件：16.79 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFN5210	文件：46.4 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFET ?LowRDS(on)PowerMOSFETTransistor,FullyAvalancheRated ?HermeticCeramicSurfaceMountpackage ?DesignedForFastSwitchingApplications ?ScreeningOptionsAvailable	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
KSM5210	文件：655.22 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
IRF5210LHR
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-262

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市達恩科技有限公司	IRF5210LPBF	Infineon	18+	NA	3000	進口原裝正品優(yōu)勢供應	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IRF5210LPBF	IRF	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市華來深電子有限公司	IRF5210LPBF	IR	23+	TO-262-3	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
上海市鑫鴻達電子	IRF5210LPBF	International Rectifier	2022+		1260	全新原裝貨期兩周	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	IRF5210LPBF	IR	24+		65230		詢價
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更多IRF5210LHR供應商更新時間2025-1-13 14:15:00

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