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IRF7389中文資料友臺半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF7389
廠商型號

IRF7389

功能描述

Dual N P Channel MOSFET

絲印標識

IRF7389

封裝外殼

SOP-8

文件大小

443.24 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

UMW友臺半導體

中文名稱

廣東友臺半導體有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-3-12 17:16:00

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IRF7389規(guī)格書詳情

Features

N-Ch:

e VbDs (v=30V

? RbsEN) < 29mo (Ves = 10V)

? RbsoN) < 46mo (Ves = 4.5V)

P-Ch:

e VDs (v=-30V

? RpsoN) < 58moe (Ves = -10V)

? RpsoN) < 98mo (Ves = -4.5V)

e Generation V Technology

e Ultra Low On-Resistance

eo Complimentary Half Bridge

e Surface Mount

eo Fully Avalanche Rated

e Lead-Free

Description

The SOP-8 has been modfied through a

customized eadframe for enhanced thermal

characteristics and multiple-die capability making

it ideal in a variety of power applications. With

these improvements. multiple devices can be

used in an application with dramatically reduced

board space. The package is desianed for vapor

phase, inra red, orwave soldering technigues

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF7389

  • 功能描述:

    MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    HEXFET®

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標準包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個 N 溝道(雙) FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應商設備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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