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IRF7389

HEXFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRF7389

Dual N P Channel MOSFET

Features N-Ch: eVbDs(v=30V ?RbsEN)

UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司(簡稱UMW?)

IRF7389

Dual N P Channel MOSFET

Features N-Ch: VDS(V)=30V RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRF7389PBF

HEXFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRF7389PBF

Generation V Technology

IRF

International Rectifier

IRF7389TR

Generation v technology

IRF

International Rectifier

IRF7389TR

Dual N P Channel MOSFET

Features N-Ch: eVbDs(v=30V ?RbsEN)

UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司(簡稱UMW?)

IRF7389TR

Dual N P Channel MOSFET

Features N-Ch: VDS(V)=30V RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRF7389TRPBF

Generation V Technology

IRF

International Rectifier

IRF7389PBF

GENERATION V TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRF7389PBF_15

GENERATION V TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRF7389PBF-1

Industry-standard pinout SO-8 Package

IRF

International Rectifier

IRF7389PBF-1_15

Industry-standard pinout SO-8 Package

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    IRF7389

  • 功能描述:

    MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    HEXFET®

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個 N 溝道(雙) FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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更多IRF7389供應(yīng)商 更新時間2024-10-24 16:36:00