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IRF7389中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF7389
廠商型號

IRF7389
功能描述

Dual N P Channel MOSFET
文件大小

420.47 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡稱

EVVOSEMI【翊歐】

中文名稱

翊歐半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-2-2 8:26:00

IRF7389規(guī)格書詳情

Features

N-Ch:

VDS (V)=30V

RDS(ON)< 29m? (VGS = 10V)

RDS(ON)< 46m? (VGS = 4.5V)

P-Ch:

VDS (V)=-30V

RDS(ON)< 58m? (VGS = -10V)

RDS(ON)< 98m? (VGS = -4.5V)

Generation V Technology

Ultra Low On-Resistance

Complimentary Half Bridge

Surface Mount

Fully Avalanche Rated

Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRF7389

  • 功能描述：

    MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    HEXFET®

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個 N 溝道（雙） FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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