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IRF840ASTRL	文件：919.08 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840ASTRLPBF	文件：919.08 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840ASTRLPBFA	文件：234.01 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840ASTRR	文件：919.08 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840ASTRRPBF	文件：919.08 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840ASTRRPBFA	文件：234.01 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840B	文件：908.03 Kbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF840B	文件：911.1 Kbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF840B	文件：200.61 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF840B	文件：291.06 Kbytes Page：8 Pages	DSeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840B	文件：1.63771 Mbytes Page：9 Pages	Lowgatecharge(typical41nC)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF840B	文件：168 Kbytes Page：8 Pages	DSeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840BPBF	文件：168 Kbytes Page：8 Pages	DSeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840FI	文件：334.39 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
IRF840FI	文件：66.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF840FP	文件：132.59 Kbytes Page：5 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF840FP	文件：302.38 Kbytes Page：5 Pages	8.0A500VNCHANNELPOWERMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
IRF840I	文件：151.64 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
IRF840L	文件：176.79 Kbytes Page：9 Pages	EaseofParalleling	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LC	文件：1.51385 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesigniticantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOStechnology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedriverequirementsandtotalsystemsavings.I	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細參數(shù)

型號：
IRF840ASTRL
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IRF840ASTRL供應(yīng)商更新時間2025-1-15 9:00:00

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