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IRF9G43中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF9G43
廠商型號

IRF9G43

功能描述

P-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

158.98 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-10 20:00:00

IRF9G43規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low RDS(on)

? Improved Inductive ruggedness

? Fast switching times

? Rugged polysllicon gate cell structure

? Low Input capacitance

? Extended safe operating area

? Improved high temperature reliability

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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