IRFBE30L中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IRFBE30L |
| 功能描述 | Power MOSFET |
| 文件大小 |
1.20346 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Vishay【威世科技】 |
| 中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-6 16:30:00 |
| 人工找貨 | IRFBE30L價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
FEATURES
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? Fast Switching
? Ease of Paralleling
? Simple Drive Requirements
? Lead (Pb)-free Available
?
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFBE30L
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-262 |
8866 |
詢價(jià) | |||
24+ |
16800 |
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詢價(jià) | ||||
IR |
06+ |
原廠原裝 |
1001 |
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
IR |
22+23+ |
TO-262 |
27799 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
21+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
2022 |
SOT-262 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
2020+ |
SOT-262 |
80000 |
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詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
7600 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR/VISHAY |
24+ |
TO-TO-220AB |
12300 |
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詢價(jià) | ||
IR/VISHAY |
22+ |
TO-220AB |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) |
