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IRFI520NPBF	文件：261.29 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFS520	文件：269.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS520A	文件：251.49 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.155Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFS520A	文件：271.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFW520A	文件：252.99 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.155Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFW520A	文件：361.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFWI520A	文件：252.99 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRL520	文件：183.34 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL520	文件：1.02845 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL520	文件：1.16464 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL520	文件：264.26 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL520	文件：1.16179 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?Logic-LevelGateDrive ?RDS(on)SpecifiedatVGS=4Vand5V ?175°COperatingTemperature ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfrom	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL520A	文件：227.08 Kbytes Page：7 Pages	AdvencedPowerMOSFET BVDSS=100V RDS(on)=0.22? ID=9.2A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):0.176?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRL520A	文件：280.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRL520L	文件：287.92 Kbytes Page：9 Pages	RepetitiveAvalancheRated	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL520L	文件：334.57 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?175°Coperatingtemperature ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatasheetprovidesinform	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRL520NL	文件：197.67 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFI520NHR
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IRFI520NMOS(場效應(yīng)管)	IR	23+	TO-220F	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	IRFI520NPBF	IR	17+	TO-220F	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
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更多IRFI520NHR供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 13:00:00

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