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IRFI9Z24GPBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFI9Z24N

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

KMB9Z24

AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KSM9Z24N

AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

SFI9Z24

iscP-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SFP9Z24

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●175oCOperetingTemperature ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:-10μA(Max.)@VDS=-60V ●LowRDS(ON):0.206?(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SFP9Z24

iscP-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SFS9Z24

iscP-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SFS9Z24

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●175°COperatingTemperature ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-60V ●LowRDS(ON):0.206?(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SFW9Z24

iscP-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IRFI9Z24GPBF

  • 功能描述:

    MOSFET P-Chan 60V 8.5 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay Siliconix
24+
TO-220-3
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
詢價
VISHAY
23+
TO220AB
7750
全新原裝優(yōu)勢
詢價
Vishay
18+
NA
3041
進口原裝正品優(yōu)勢供應
詢價
VishayPCS
309
全新原裝 貨期兩周
詢價
VISHAY
22+23+
TO-220F
15783
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
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Vishay PCS
2022+
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全新原裝 貨期兩周
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TO2203 Isolated Tab
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更多IRFI9Z24GPBF供應商 更新時間2025-1-22 11:12:00