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IRFIB7N50A

Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.52ohm, Id=6.6A)

VDSS500V Rds(on)max0.52? ID6.6A Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●Switch

IRF

International Rectifier

IRFIB7N50APBF

SMPS MOSFET

VDSS500V Rds(on)max0.52? ID6.6A Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●Switch

IRF

International Rectifier

IRFIB7N50L

HEXFET Power MOSFET

FeaturesandBenefits ●SuperFastbodydiodeeliminatestheneedforexternaldiodesinZVSapplications ●LowerGatechargeresultsinsimplerdriverequirements ●EnhanceddV/dtcapabilitiesofferimprovedruggedness ●HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity Applicatio

IRF

International Rectifier

IRFIB7N50L

Power MOSFET

FEATURES ?SuperFastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications ?LowerGateChargeResultsinSimplerDriveReqirements ?EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness ?HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity ?Lead(Pb)-fr

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFIB7N50LPBF

Power MOSFET

FEATURES ?SuperFastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications ?LowerGateChargeResultsinSimplerDriveReqirements ?EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness ?HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity ?Lead(Pb)-fr

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFIB7N50LPBF

SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET

FeaturesandBenefits ●SuperFastbodydiodeeliminatestheneedforexternaldiodesinZVSapplications ●LowerGatechargeresultsinsimplerdriverequirements ●EnhanceddV/dtcapabilitiesofferimprovedruggedness ●HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity Applicatio

IRF

International Rectifier

IRFIB7N50A

Uninterruptible Power Supply

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFIB7N50A

iscN-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFIB7N50A

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

IRFIB7N50A

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFIB7N50A_V01

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFIB7N50APBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRFIB7N50

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 500V 6.6 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IR
2015+
TO-220F
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)
 詢價(jià)
IR
24+
TO-220
40
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05+
TO-220
8000
自己公司全新庫存絕對(duì)有貨
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23+
TO-220
8890
價(jià)格優(yōu)勢(shì)/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢
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N/A
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原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票
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2020+
TO220
350000
100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存
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IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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IR
2020+
TO220
5000
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
VishayPCS
新
5
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
更多IRFIB7N50供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-19 11:04:00

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