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IRFL4310	文件：313.03 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.6A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310	文件：318.59 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310PBF	文件：662.13 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET? Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.20廓 , ID = 1.6A ) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310TR	文件：318.59 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310TRPBF	文件：667.61 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310PBF	文件：667.61 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310PBF_15	文件：667.61 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310TRPBF	文件：1.79548 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
IRFL4310PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包裝：管件類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) 描述：MOSFET N-CH 100V SOT223	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFP4310Z	文件：336.16 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFL4310
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
功能描述：
MOSFET N SOT-223

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市近平電子有限公司	IRFL4310	IR	09+	SOT223	6000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	IRFL4310	IR	24+	SOT-223	500758	免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價(jià)
柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	IRFL4310	IR	2024+	N/A	70000	柒號只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFL4310	IOR	24+	SOT-223-3	5		詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	IRFL4310	IRF	23+	SOT-223	5500	現(xiàn)貨,全新原裝	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	IRFL4310	IR	17+	SOT-223	6200		詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	IRFL4310	IR	24+	原廠封裝	1840	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
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