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IRFP360	文件：55.31 Kbytes Page：7 Pages	23A,400V,0.200Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingc	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP360	文件：164.15 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.20ohm,Id=23A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFP360	文件：962.94 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP360	文件：50.32 Kbytes Page：2 Pages	MegaMOSFET Features ?Fastswitchingtimes ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Highcommutingdv/dtrating Applications ?DCchoppers ?MotorControls ?Switch-modeandresonant-mode ?Uninterruptablepowersupplies(UPS) Adva	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP360	文件：67.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ?DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max) ?FastSwitching DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFP360	文件：640.42 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedN-ChannelPowerMOSFETs TheIRFP360andIRFP362areadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperationThesearen-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingre	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFP360	文件：1.032369 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP360	文件：284.4 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrated ?Repetitiveavalancherated ?Isolatedcentralmountinghole ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP360LC	文件：343.84 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.20ohm,Id=23A) Description ThisnewseriesofLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	IRF International Rectifier	IRF
IRFP360LC	文件：260.38 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP360LC	文件：1.04588 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP360LC	文件：325.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFP360LC	文件：1.06844 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP360LC	文件：311.46 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Ultralowgatecharge ?Reducedgatedriverequirement ?Enhanced30VVGSrating ?ReducedCiss,Coss,Crss ?Isolatedcentralmountinghole ?DynamicdV/dtrated ?Repetitiveavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/do	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP360LCPBF	文件：347.88 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description ThisnewseriesofLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	IRF International Rectifier	IRF
IRFP360LCPBF	文件：260.38 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP360LCPBF	文件：1.06844 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP360PBF	文件：855.22 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFP360PBF	文件：962.94 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP360PBF	文件：316.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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詳細參數(shù)

型號：
IRFM360B
制造商：
International Rectifier

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市川藍電子科技有限公司	IRFM360B	INFINEON	23+	M-TO254-3	14253	原包裝原標現(xiàn)貨,假一罰十,	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	IRFM360B	INFINEON	23+		8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFM360B	INFINEON	23+		7000		詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFM360SCV	IR	22+	n/a	6000	終端可免費供樣,支持BOM配單	詢價
深圳市華來深電子有限公司	IRFM360SCV	IR/美國國際整流	23+	TO-254AA	5000	公司只做原裝,可配單	詢價
深圳市富芯樂電子科技有限公司	IRFM400	IOR	22+	TO-3	4500	全新原裝品牌專營	詢價
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	IRFM440	IR	23+	TO-3	5000	原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市歐立現(xiàn)代科技有限公司	IRFM440	ir	24+	N/A	6980	原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票	詢價
深圳市鑫宇楊電子科技有限公司	IRFM440	IOR	2020+	TO-3	35000	公司100%原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢特價熱賣,量大可訂。	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFM440	IRF	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價

更多IRFM360B供應商更新時間2024-11-2 10:04:00

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