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IRFNJ9130	文件：21.7 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP9130	文件：378.27 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFP9130	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFP9130	文件：272.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP9130	文件：315.02 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS9130	文件：265.89 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IRFY9130C	文件：164.07 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA)100V,P-CHANNELHEXFET?MOSFETTECHNOLOGY PartNumberRDS(on)IDEyelets IRFY9130C0.3?-11.2ACeramic IRFY9130CM0.3?-11.2ACeramic HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon	IRF International Rectifier	IRF
IRFY9130C	文件：834.09 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFY9130CM	文件：300.01 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETP-CHANNEL(BVdss=-100V,Rds(on)=0.3ohm,Id=-11.2A) PartNumberRDS(on)IDEyelets IRFY9130C0.3?-11.2ACeramic IRFY9130CM0.3?-11.2ACeramic HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon	IRF International Rectifier	IRF
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IRFY9130M	文件：15.63 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRH9130	文件：121.77 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(T0-204AA) RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(T0-204AA) InternationalRectifier’sRADHardHEXFET?technologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.Thesedeviceshavebeenchar	IRF International Rectifier	IRF
IRH9130	文件：127.37 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
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IRHF9130	文件：128.74 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTORP-CHANNEL(BVdss=-100V,Rds(on)=0.30ohm,Id=-6.5A) InternationalRectifier’sRAD-HardHEXFETTMtechnologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.ThesedeviceshavebeencharacterizedforbothTotalDoseandSingleEventEffec	IRF International Rectifier	IRF
IRHF9130	文件：134.33 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRHM9130	文件：135.48 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFET/100V,P-CHANNEL	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFM9130
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254AA

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IRFM9130供應(yīng)商更新時間2025-1-13 14:01:00

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