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IRFN054	文件：218.41 Kbytes Page：6 Pages	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=60V, Rds(on)=0.020ohm, Id=55A) RDS(on)0.020? ID55A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-estab	IRF International Rectifier	IRF
IRFN054	文件：219.49 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN054SMD	文件：23.58 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET VDSS60V ID(cont)45A RDS(on)0.027? FEATURES ?HERMETICALLYSEALEDSURFACEMOUNTPACKAGE ?SMALLFOOTPRINT–EFFICIENTUSEOFPCBSPACE. ?SIMPLEDRIVEREQUIREMENTS ?LIGHTWEIGHT ?HIGHPACKINGDENSITIES	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFN054_15	文件：219.49 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFP054	文件：170.62 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.014ohm,Id=70*A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRF International Rectifier	IRF
IRFP054	文件：1.53169 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP054	文件：1.56179 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP054	文件：1.56179 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP054	文件：1.56651 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團(tuán)	TFUNK
IRFP054	文件：204.36 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=70A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage-:VDSS=60V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.014Ω(Max) ?FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP054	文件：1.59347 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP054	文件：846.67 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Isolatedcentralmountinghole ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP054N	文件：109.27 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.012ohm,Id=81A?? Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP054N	文件：335.03 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?UltraLowOn-resistance ?FastSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤12m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP054N	文件：729.95 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludetheuseofTO-220devices.TheTO-247issimilarbutsuperiortotheearlierTO-218packagebecauseofitsisolatedmountinghole. ●AdvancedProcessTechnology ●Dynamicdv/dt	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFP054NPBF	文件：1.49884 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP054NPBF	文件：1.49981 Mbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFP054PBF	文件：3.3841 Mbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFP054PBF	文件：1.53169 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP054PBF	文件：1.56179 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFN054
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin SMD-1
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 60V 55A 3SMD-1 - Bulk
功能描述：
Single N-Channel 60 V 150 W 160 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SMD-1
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 60V, 55A, SMD-1; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
55A; Drain Source Voltage
Vds：
60V; On Resistance
Rds(on)：
0.031ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
No

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFN054	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市賽芯源科技有限公司	IRFN054	IR	2017+	SMD-1	1290	原裝正品,誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFN054	IR	23+	SMD	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	IRFN054	IR		SMD	1	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	IRFN054	ADI	2022+	DIP8	6000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFN054	IR	22+	N/A	6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市川藍(lán)電子科技有限公司	IRFN054	INFINEON	23+	C-CCN-3	14253	原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十,	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFN054	IR	23+	N/A	7000		詢價(jià)
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深圳市達(dá)恩科技有限公司	IRFN130B	SML	18	SMD	200	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190	詢價(jià)

更多IRFN054供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-24 13:35:00

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