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IRFP3710PBF	文件：233.93 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.025廓,ID=57A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP3710PBF	文件：234.89 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3710Z	文件：218.1 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3710Z	文件：335.72 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤18m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR3710ZPBF	文件：275.12 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3710ZPBF	文件：688.61 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFR3710ZPBF	文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3710ZPBF	文件：4.26598 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3710ZPBF	文件：4.70307 Mbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3710ZPBF	文件：4.26849 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3710ZPBF	文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3710ZTRL	文件：4.70307 Mbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3710ZTRLPBF	文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3710ZTRLPbF	文件：688.61 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFR3710ZTRPBF	文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3710ZTRPBF	文件：1.02463 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRFU3710Z	文件：218.1 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
IRFU3710Z	文件：247.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU3710Z	文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFU3710ZPBF	文件：275.12 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
IRFP3710HR
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 100V 57A 3PIN TO-247AC - Rail/Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFP3710IR	IR	22+	TO-247	6000	終端可免費供樣,支持BOM配單	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	IRFP3710IR	IR	23+	TO-247	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFP3710IR	IR	23+	TO-247	7000		詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IRFP3710MOS(場效應(yīng)管)	IR	23+	TO-247	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳廊盛科技有限公司	IRFP3710MOS(場效應(yīng)管)	IR	2022	TO-247	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價
深圳龐田科技有限公司	IRFP3710MOS(場效應(yīng)管)	INFINEON/英飛凌	2023+	TO-247	2000	AI智能識別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFP3710PBF	IR	24+	TO-247-3	8866		詢價
深圳市博浩通科技有限公司	IRFP3710PBF	IR	23+	TO-247AC-	7750	全新原裝優(yōu)勢	詢價
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深圳市達恩科技有限公司	IRFP3710PBF	Infineon	18+	NA	3000	進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190	詢價

更多IRFP3710HR供應(yīng)商更新時間2025-1-3 14:00:00

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