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IIRFR13N20D	文件：335.82 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR13N20	文件：181.69 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.235ohm,Id=13A) Benefits ?LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
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IRFR13N20D	文件：3.72818 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFR13N20DPBF	文件：689.89 Kbytes Page：11 Pages	HIGHFREQUENCYDC-DCCONVERTERS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR13N20DPBF	文件：688.93 Kbytes Page：11 Pages	SMPSMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)max=0.235廓,ID=13A) Benefits ?LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters ?Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRFR13N20DPBF	文件：689.89 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFR13N20DPBF	文件：4.32081 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Benefits ?LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters ?Lead-Free	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR13N20DTRLP	文件：689.89 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFR13N20DTRPBF	文件：1.77733 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRFR13N20DTRPBF	文件：231.09 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFU13N20D	文件：181.69 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.235ohm,Id=13A) Benefits ?LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFU13N20D	文件：247.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFR13N20DTRR
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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