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IRLR2905

60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralDescription TheIRLR2905TRusesadvancedtrenchtechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgate charge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnol

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRLR2905PBF

HEXFETPowerMOSFET

VDSS=55V RDS(on)=0.027? ID=42A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign

IRF

International Rectifier

IRLR2905PBF

Logic-LevelGateDrive

IRF

International Rectifier

IRLR2905TR

60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralDescription TheUMWIRLR2905TRusesadvancedtrenchtechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgate charge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTec

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

IRLR2905TR

60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralDescription TheIRLR2905TRusesadvancedtrenchtechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgate charge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnol

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRLR2905TRPBF

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

IRLR2905TRPBF

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRLR2905Z

AUTOMOTIVEMOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp

IRF

International Rectifier

IRLR2905Z

AdvancedProcessTechnology

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRLR2905Z

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRFR2905ZTRPBF

  • 功能描述：

    MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 14.5mOhms 29nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon Technologies
24+
D-Pak
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
IR
15+
原廠原裝
12000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
IR
24+
TO-252
8000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
24+
TO-252
9203
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
 詢價(jià)
IR
24+
TO-252
500907
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
IR
24+
N/A
8000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
 詢價(jià)
IR
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
IR
24+
TO-252
7500
詢價(jià)
IR
17+
TO-252
6200
詢價(jià)
DISCRETE
2000
IR
12000
詢價(jià)
更多IRFR2905ZTRPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-16 19:01:00

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