爱情岛亚洲论坛永久入口,欧美日韩亚洲成色二本道三区,国产对白受不了了中文对白

<listing id="rwe9q"><form id="rwe9q"></form></listing>

首頁 >IRFS31N20DTRLP>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRFS31N20DTRLP	文件：296.29 Kbytes Page：12 Pages	High Frequency DC-DC converters	IRF International Rectifier	IRF
B31N20D	文件：190.95 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A) Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IIRFB31N20D	文件：339.03 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB31N20	文件：190.95 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A) Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFB31N20D	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
IRFB31N20D	文件：190.95 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A) Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFB31N20D	文件：339.03 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB31N20DPBF	文件：296.29 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB31N20DPBF	文件：295.33 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)max=0.082廓,ID=31A) Applications HighFrequencyDC-DCconverters Lead-Free Benefits LowGatetoDraintoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFB31N20DPBF	文件：296.29 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFS31N20D	文件：188.98 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS31N20D	文件：190.95 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A) Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFS31N20DPBF	文件：296.29 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFS31N20DPBF	文件：295.33 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)max=0.082廓,ID=31A) Applications HighFrequencyDC-DCconverters Lead-Free Benefits LowGatetoDraintoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL31N20D	文件：190.95 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A) Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL31N20D	文件：300.29 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFSL31N20DPBF	文件：296.29 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL31N20DPBF	文件：295.33 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)max=0.082廓,ID=31A) Applications HighFrequencyDC-DCconverters Lead-Free Benefits LowGatetoDraintoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFS31N20DTRLP
功能描述：
MOSFET MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRFS31N20DTRLP	INFINEON/英飛凌	22+	TO-263	9800	只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRFS31N20DTRLP	Infineon(英飛凌)	23+	D2PAK	8357	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	IRFS31N20DTRLP	IR	24+	TO-263	501358	免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價
柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	IRFS31N20DTRLP	INFINEON	2024+	N/A	70000	柒號只做原裝現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)	詢價
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRFS31N20DTRLP	IR	2020+	TO263	366	百分百原裝正品真實公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價
深圳市鵬和科技有限公司	IRFS31N20DTRLP	IR	24+	TO263	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價
深圳市達(dá)恩科技有限公司	IRFS31N20DTRLP	Infineon	18+	NA	3000	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190	詢價
深圳市華來深電子有限公司	IRFS31N20DTRLP	IR	23+	TO-263	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	IRFS31N20DTRLP	IR	22+23+	TO263	73584	絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價
深圳市錦喆鴻電子有限公司	IRFS31N20DTRLP	IR	21+	TO-263	12588	原裝正品,自己庫存假一罰十	詢價

更多IRFS31N20DTRLP供應(yīng)商更新時間2024-10-26 16:59:00

客戶服務(wù) 網(wǎng)站合作

Tel：+86-755-8246-9263
Email：114ic＠114ic.com
投訴建議：web＠114ic.com

Copyright ? 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粵ICP備05011613號粵公網(wǎng)安備 44030402000933號