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IRFSL31N20D	文件：190.95 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A) Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL31N20D	文件：300.29 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFSL31N20DPBF	文件：295.33 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)max = 0.082廓 , ID = 31A ) Applications HighFrequencyDC-DCconverters Lead-Free Benefits LowGatetoDraintoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL31N20DPBF	文件：296.29 Kbytes Page：12 Pages	High Frequency DC-DC converters	IRF International Rectifier	IRF
B31N20D	文件：190.95 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A) Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IIRFB31N20D	文件：339.03 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFB31N20	文件：190.95 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A) Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFB31N20D	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
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IRFB31N20D	文件：339.03 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFB31N20DPBF	文件：296.29 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB31N20DPBF	文件：295.33 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)max=0.082廓,ID=31A) Applications HighFrequencyDC-DCconverters Lead-Free Benefits LowGatetoDraintoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFB31N20DPBF	文件：296.29 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFS31N20D	文件：188.98 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFS31N20D	文件：190.95 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A) Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
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IRFS31N20DPBF	文件：295.33 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)max=0.082廓,ID=31A) Applications HighFrequencyDC-DCconverters Lead-Free Benefits LowGatetoDraintoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFS31N20DTRLP	文件：296.29 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF

詳細參數(shù)

型號：
IRFSL31N20D
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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