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MDF9N60

N-ChannelMOSFET600V,9A,0.75(ohm)

TheMDF9N60usesadvancedMagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowon-stateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality.MDF9N60issuitabledeviceforSMPS,highSpeedswitchingandgeneralpurposeapplications.

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDF9N60B

N-ChannelMOSFET600V,9A,0.80(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDF9N60BTH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MDF9N60BTH

N-ChannelMOSFET600V,9A,0.80(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDF9N60TH

N-ChannelMOSFET600V,9A,0.75(ohm)

TheMDF9N60usesadvancedMagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowon-stateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality.MDF9N60issuitabledeviceforSMPS,highSpeedswitchingandgeneralpurposeapplications.

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDF9N60TH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MDP9N60

N-ChannelMOSFET600V,9A,0.75(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDP9N60TH

N-ChannelMOSFET600V,9A,0.75(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDP9N60TH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTN9N60BFP

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRFSL9N60ATRL

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262

  • RoHS：

    否

  • 類(lèi)別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VISHAY
1503+
TO-262
3000
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
 詢(xún)價(jià)
Vishay Siliconix
22+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢(xún)價(jià)
Vishay Siliconix
21+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢(xún)價(jià)
VISHAY/威世
23+
TO-262
43000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢(xún)價(jià)
Vishay Siliconix
23+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢(xún)價(jià)
Vishay Siliconix
2022+
TO-262-3,長(zhǎng)引線(xiàn),I2Pak,TO-26
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
 詢(xún)價(jià)
FAIRCHILD
2023+
TO-3P
4675
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售
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專(zhuān)做原裝正品,假一罰百!
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TO-220
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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23+
TO-220
7000
詢(xún)價(jià)
更多IRFSL9N60ATRL供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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