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IRFSL59N10D	文件：138.98 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A) Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL59N10D	文件：321.15 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFSL59N10DPBF	文件：224.3 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●UPS/MotorControlInvert	IRF International Rectifier	IRF
IIRFB59N10D	文件：338.7 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.025? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB59N10	文件：138.98 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)max=0.025ohm,Id=59A) Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB59N10D	文件：138.98 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)max=0.025ohm,Id=59A) Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB59N10D	文件：338.7 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.025? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB59N10DPBF	文件：233.27 Kbytes Page：12 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB59N10DPBF	文件：224.3 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●UPS/MotorControlInvert	IRF International Rectifier	IRF
IRFB59N10DPBF	文件：981.72 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRFS59N10D	文件：188.89 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS59N10D	文件：138.98 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)max=0.025ohm,Id=59A) Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFS59N10DPBF	文件：224.3 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●UPS/MotorControlInvert	IRF International Rectifier	IRF

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFSL59N10D
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

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