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IRFU3710Z

AUTOMOTIVE MOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro

IRF

International Rectifier

IRFU3710Z

Marking：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFU3710Z

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

IRFU3710ZPBF

AUTOMOTIVE MOSFET

Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco

IRF

International Rectifier

IRFU3710ZPBF

AUTOMOTIVE MOSFET

Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFU3710ZPBF

AUTOMOTIVE MOSFET

Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFU3710ZPbF

HEXFET? Power MOSFET

Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRFU3710Z-701PBF

HEXFET Power MOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFU3710ZPBF

HEXFET Power MOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFU3710ZPBF

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRFU3710Z

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 42A I-PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
TO-251-3
8866
詢價
IR
23+
TO-251
35890
詢價
IR
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TO-251
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只做原裝公司現(xiàn)貨
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科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
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19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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TO-251
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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IR
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TO251
75752
絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進口現(xiàn)貨
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TO-251
38900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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INFINE0N
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IPAK (TO-251)
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100%進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營
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IR
23+
TO-251
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
更多IRFU3710Z供應(yīng)商 更新時間2025-5-6 16:30:00

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