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IRFZ46N	文件：85.31 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=16.5mohm, Id=53A) Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRFZ46N	文件：338.86 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor ?DESCRITION ?reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤16.5m? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IRFZ46N	文件：190.15 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET? Power MOSFET(VDSS = 55V,RDS(on) = 16.5m廓,ID = 53A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFZ46NL	文件：263.4 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRFZ46NLPBF	文件：678.64 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRFZ46NPBF	文件：190.15 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRFZ46NS	文件：263.4 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRFZ46NSPBF	文件：678.64 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRFZ46NSTRL	文件：263.4 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRFZ46NSTRR	文件：263.4 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRFZ46N_04	文件：190.15 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET? Power MOSFET(VDSS = 55V,RDS(on) = 16.5m廓,ID = 53A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFZ46NL	文件：262.94 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFZ46NPBF	文件：221.33 Kbytes Page：8 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFZ46NPBF_15	文件：221.33 Kbytes Page：8 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFZ46NS	文件：262.94 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFZ46NS	文件：244.23 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFZ46NS	文件：1.02402 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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IRFZ46NSPBF	文件：687.68 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFZ46N
功能描述：
MOSFET MOSFET, 55V, 46A, 16.5 mOhm, 48 nC Qg, TO-220AB
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多IRFZ46N供應(yīng)商更新時(shí)間2024-4-11 18:15:00

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