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IRG4BC30FDPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRG4BC30FDPBF |
| 參數(shù)屬性 | IRG4BC30FDPBF 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
397.06 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-19 10:18:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRG4BC30FDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，17A
- 開關(guān)能量：
630μJ（開），1.39mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
42ns/230ns
- 測試條件：
480V，17A，23 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 31A 100W TO220AB
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
24+ |
TO-220-3 |
9350 |
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詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
65230 |
詢價(jià) | ||||
Infineon |
22+ |
NA |
221 |
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詢價(jià) | ||
Infineon |
18+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
46000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
IR |
21+ |
TO220 |
9866 |
詢價(jià) | |||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
詢價(jià) |
