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IRG4IBC10UD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4IBC10UD

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 整包 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4IBC10UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast Co-Pack IGBT

Features ●UltraFast:Optimizedforhighoperatingupto 80kHzinhardswitching,>200kHzin resonantmode ●Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration ●IGBTco-packagedwithHEXFRED?ultrafast, ultra-s

IRF

International Rectifier

IRG4IBC10UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4IBC10UDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4IBC10UDPBF

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 整包 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4IBC10UD

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.6V @ 15V，5A

  • 開關(guān)能量：

    140μJ（開），120μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    40ns/87ns

  • 測試條件：

    480V，5A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO220-FP

  • 描述：

    IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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24+
TO-220F
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TO-220F
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全新原裝現(xiàn)貨
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更多IRG4IBC10UD供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 16:30:00

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