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IRG4IBC30KD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4IBC30KD

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 整包 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 17A 45W TO220FP

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4IBC30KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?Highswitchingspeedoptimizedforupto25kHz withlowVCE(on) ?ShortCircuitRating10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,

IRF

International Rectifier

IRG4IBC30KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT TECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4IBC30KDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT TECOVERY DIODE

IRF

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IRG4IBC30KDPBF

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 整包 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 17A 45W TO220FP

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4IBC30S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4IBC30SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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IRG4IBC30SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfreqencies(

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International Rectifier

IRG4IBC30UD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?4.8mmcreapagedistancetoheatsink ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecoveryantiparalleldiodes ?Tighter

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IRG4IBC30UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

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IRG4IBC30UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?4.8mmcreapagedistancetoheatsink ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecoveryantiparalleldiodes ?Tighte

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IRG4IBC30W

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?La

IRF

International Rectifier

IRG4IBC30WPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4IBC30WPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePower SupplyandPFC(powerfactorcorrection) applications ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?ndustry-benchmarkswitchinglossesimprove efficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconduction

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4IBC30KD

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，16A

  • 開關(guān)能量：

    600μJ（開），580μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    60ns/160ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，16A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO220-FP

  • 描述：

    IGBT 600V 17A 45W TO220FP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IR
24+
TO 220F
161194
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
24+
TO-220-3
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全新原裝現(xiàn)貨
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TO-220F
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)
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科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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TO-220
85600
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票
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TO-220F
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絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!?
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INFINEON
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TO-220
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IR/VISHAY
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TO-220
10000
公司只做原裝正品
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更多IRG4IBC30KD供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-15 19:10:00

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