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IRG4IBC30W	文件：160.5 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?La	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-220-3 整包類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 17A 45W TO220FP	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRG4IBC30WPBF	文件：254.84 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePower SupplyandPFC(powerfactorcorrection) applications ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?ndustry-benchmarkswitchinglossesimprove efficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconduction	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30WPBF	文件：263.95 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30WPBF_15	文件：263.95 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30WPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-220-3 整包類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 17A 45W TO220FP	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRG4IBC30F	文件：223.94 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?VeryLow1.59Vvotagedrop ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?4.8mmcreapagedistancetoheatsink ?Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecovery	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30FD	文件：223.94 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?VeryLow1.59Vvotagedrop ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?4.8mmcreapagedistancetoheatsink ?Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecovery	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30KD	文件：195.54 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30KDPBF	文件：339.04 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTTECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30KDPBF	文件：347.66 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?Highswitchingspeedoptimizedforupto25kHz withlowVCE(on) ?ShortCircuitRating10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30S	文件：126.17 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30SPBF	文件：239.44 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30SPBF	文件：197.92 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ?Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfreqencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30UD	文件：227.86 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?4.8mmcreapagedistancetoheatsink ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecoveryantiparalleldiodes ?Tighter	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30UDPBF	文件：324.48 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30UDPBF	文件：322.4 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?4.8mmcreapagedistancetoheatsink ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecoveryantiparalleldiodes ?Tighte	IRF International Rectifier	IRF

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
IRG4IBC30W
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，12A
開關(guān)能量：
130μJ（開），130μJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
25ns/99ns
測(cè)試條件：
480V，12A，23 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商器件封裝：
PG-TO220-FP
描述：
IGBT 600V 17A 45W TO220FP

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市納艾斯科技有限公司	IRG4IBC30W	IR	2020+	TO-220F	8000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
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