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IRGPC50F	文件：269.65 Kbytes Page：6 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=39A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileat thesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpower MOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahosto	IRF International Rectifier	IRF
IRGPC50FD2	文件：443.32 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V,Ic=39A) Description Co-packagedIGBTsareanaturalextensionofInternationalRectifierswellknownIGBTline.TheyprovidetheconvenienceofanIGBTandanultrafastrecoverydiodeinonepackage,resultinginsubstantialbenefitstoahostofhigh-voltage,high-current,motorcontrol,UPSandpowers	IRF International Rectifier	IRF
IRGPC50KD2	文件：206.17 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Description Co-packagedIGBTsareanaturalextensionofInternationalRectifierswellknownIGBTline.TheyprovidetheconvenienceofanIGBTandanultrafastrecoverydiodeinonepackage,resultinginsubstantialbenefitstoahostofhigh-voltage,high-current,applications. Thesenewshort	IRF International Rectifier	IRF
IRGPC50M	文件：262.9 Kbytes Page：6 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=35A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof	IRF International Rectifier	IRF
IRGPC50MD2	文件：434.62 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=35A) Description Co-packagedIGBTsareanaturalextensionofInternationalRectifierswellknownIGBTline.TheyprovidetheconvenienceofanIGBTandanultrafastrecoverydiodeinonepackage,resultinginsubstantialbenefitstoahostofhigh-voltage,high-current,applications. Thesenewshort	IRF International Rectifier	IRF
IRGPC50S	文件：259.63 Kbytes Page：6 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=41A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof	IRF International Rectifier	IRF
IRGPC50UD2	文件：441.04 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A) Description Co-packagedIGBTsareanaturalextensionofInternationalRectifierswellknownIGBTline.TheyprovidetheconvenienceofanIGBTandanultrafastrecoverydiodeinonepackage,resultinginsubstantialbenefitstoahostofhigh-voltage,high-current,motorcontrol,UPSandpowers	IRF International Rectifier	IRF
IRGPC50F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRF International Rectifier	IRF
IRGPC50FD2	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRF International Rectifier	IRF
IRGPC50K	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRF International Rectifier	IRF
IRGPC50KD2	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRF International Rectifier	IRF
IRGPC50M	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRF International Rectifier	IRF
IRGPC50MD2	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRF International Rectifier	IRF
IRGPC50S	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRF International Rectifier	IRF
IRGPC50U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRF International Rectifier	IRF
IRGPC50UD2	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRF International Rectifier	IRF
IRGPC50FD2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT W/DIODE 600V 70A TO-247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRGPC50U	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT UFAST 600V 55A TO-247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRGPC50UD2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT W/DIODE 600V 55A TO-247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IRGPC50F
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
卷帶（TR）
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，39A
輸入類型：
標準
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AC
描述：
IGBT FAST 600V 70A TO-247AC

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市正納電子有限公司	IRGPC50F	IR	ROHS全新原裝	TO-3P	9782	原裝現(xiàn)貨在線咨詢樣品※技術(shù)支持專業(yè)電子元器件授權(quán)	詢價
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