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IRGSL30B60K分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IRGSL30B60K |
| 參數(shù)屬性 | IRGSL30B60K 封裝/外殼為TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 78A 370W TO262 |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA |
| 文件大小 |
323.09 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-15 17:05:00 |
| 人工找貨 | IRGSL30B60K價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRGSL30B60K規(guī)格書詳情
Features
? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology
? 10μs Short Circuit Capability
? Square RBSOA
? Positive VCE (on) Temperature Coefficient
? Maximum Junction Temperature rated at 175°C
? Lead-Free
Benefits
? Benchmark Efficiency for Motor Control
? Rugged Transient Performance
? Low EMI
? Excellent Current Sharing in Parallel Operation
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
IRGSL30B60KPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.35V @ 15V，30A
- 開關(guān)能量：
350μJ（開），825μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
46ns/185ns
- 測試條件：
400V，30A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-262
- 描述：
IGBT 600V 78A 370W TO262
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-262 |
16800 |
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IR |
23+ |
TO-262 |
7000 |
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Infineon Technologies |
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