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IRL3303	文件：103.3 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET POWER MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL3303L	文件：158.09 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRL3303S	文件：158.09 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRL3303LPBF	文件：297.33 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET? Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL3303PBF	文件：1.33662 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET? Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL3303SPBF	文件：297.33 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET? Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI3303	文件：154.82 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLL3303	文件：161.97 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLL3303PBF	文件：165.53 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLL3303PBF	文件：169.96 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRLL3303TRPBF	文件：169.96 Kbytes Page：9 Pages	SurfaceMount	IRF International Rectifier	IRF
IRLL3303TRPBF	文件：1.05098 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRLR/U3303	文件：139.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3303	文件：139.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3303	文件：335.28 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLR3303PBF	文件：307.21 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewell	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3303	文件：139.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3303	文件：247.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLU3303PBF	文件：307.21 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewell	IRF International Rectifier	IRF
J3303	文件：579.12 Kbytes Page：5 Pages	SiliconP-channelMOSFET SiliconP-channelMOSFET Forswitchingcircuits Overview FJ330301isP-channelsmallsignalMOSFETemployedsmallsizesurfacemountingpackage. Features ●Lowdrain-sourceONresistance:RDS(on)typ.=4Ω(VGS=-4.0V) ●High-speedswitching ●Smallsizesurfacemountingpackage:SSSMi	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic

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詳細參數(shù)

型號：
IRL3303
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市明嘉萊科技有限公司	IRL3303	IR	24+	TO 220	161524	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRL3303	IR	23+	TO-220AB	19526		詢價
深圳市勤思達科技有限公司	IRL3303	IR	2015+	TO-220AB	12500	全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)	詢價
深圳市弘為電子有限公司	IRL3303	IR	24+	原廠封裝	2000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	IRL3303	IR	23+	TO-220AB	8600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市鑫宇楊電子科技有限公司	IRL3303	IR	2020+	TO220	350000	100%進口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IRL3303	IRF	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市華來深電子有限公司	IRL3303	IR	23+	TO-220-3	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
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