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IRL3303PBF	文件：1.33662 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET? Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL3303S	文件：158.09 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRL3303SPBF	文件：297.33 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI3303	文件：154.82 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLL3303	文件：161.97 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLL3303PBF	文件：165.53 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLL3303PBF	文件：169.96 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRLL3303TRPBF	文件：169.96 Kbytes Page：9 Pages	SurfaceMount	IRF International Rectifier	IRF
IRLL3303TRPBF	文件：1.05098 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
IRLR/U3303	文件：139.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3303	文件：139.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3303	文件：335.28 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLR3303PBF	文件：307.21 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewell	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3303	文件：139.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3303	文件：247.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLU3303PBF	文件：307.21 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewell	IRF International Rectifier	IRF
J3303	文件：579.12 Kbytes Page：5 Pages	SiliconP-channelMOSFET SiliconP-channelMOSFET Forswitchingcircuits Overview FJ330301isP-channelsmallsignalMOSFETemployedsmallsizesurfacemountingpackage. Features ●Lowdrain-sourceONresistance:RDS(on)typ.=4Ω(VGS=-4.0V) ●High-speedswitching ●Smallsizesurfacemountingpackage:SSSMi	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
J3303	文件：244.69 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
KA3303	文件：84.69 Kbytes Page：10 Pages	QuadOperationalAmplifier Description TheKA3303seriesisamonolithicQuadoperationalamplifierconsistingoffourindependentamplifiers.Thedevicehashighgain,internallyfrequency,compensatedoperationalamplifiersdesignedtooperatefromasinglepowersupplyordualpowersuppliesoverawiderangeofvoltage	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KA3303D	文件：84.69 Kbytes Page：10 Pages	QuadOperationalAmplifier Description TheKA3303seriesisamonolithicQuadoperationalamplifierconsistingoffourindependentamplifiers.Thedevicehashighgain,internallyfrequency,compensatedoperationalamplifiersdesignedtooperatefromasinglepowersupplyordualpowersuppliesoverawiderangeofvoltage	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRL3303PBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 30V 34A 17.3nC 26mOhm LogLvAB
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市坤融電子科技有限公司	IRL3303PBF	IR	24+	TO-220	496	只做原廠渠道可追溯貨源	詢(xún)價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRL3303PBF	IR	07+	原廠原裝	118355	自己公司全新庫(kù)存絕對(duì)有貨	詢(xún)價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRL3303PBF	IR	2016+	TO-220	6528	房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十	詢(xún)價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRL3303PBF	IR	23+	TO-220AB-	7750	全新原裝優(yōu)勢(shì)	詢(xún)價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	IRL3303PBF	IR	24+	TO-220	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	IRL3303PBF	IR	23+	TO-220-3	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	IRL3303PBF	IR	2020+	TO-220	80000	只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增	詢(xún)價(jià)
上海市鑫鴻達(dá)電子	IRL3303PBF	International Rectifier	2022+		68	全新原裝貨期兩周	詢(xún)價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	IRL3303PBF	IR	20+	TO220	65300	一級(jí)代理/放心購(gòu)買(mǎi)!	詢(xún)價(jià)
深圳市拓億芯電子有限公司	IRL3303PBF	IR	23+	TO-220	30000	全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢(xún)價(jià)

更多IRL3303PBF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 16:36:00

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