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IRL630PBF	文件：1.33919 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.40? ID=9.0A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcomme	IRF International Rectifier	IRF
IRL630PBF	文件：1.92247 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200V RDS(on)(Ω)VGS=5V0.40 Qg(Max.)(nC)40 Qgs(nC)5.5 Qgd(nC)24 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL630S	文件：352.22 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.40ohm,Id=9.0A) VDSS=200V RDS(on)=0.40? ID=9.0A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableo	IRF International Rectifier	IRF
IRL630S	文件：226.54 Kbytes Page：9 Pages	AvailableinTapeandReel	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL630S	文件：265.88 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?Dynamicdv/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?150°Coperatingtemperature ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL630SPBF	文件：1.55025 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.40? ID=9.0A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableof	IRF International Rectifier	IRF
IRL630SPBF	文件：265.88 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL630STRLPBFA	文件：265.88 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL630STRRPBFA	文件：265.88 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLHM630	文件：268.37 Kbytes Page：2 Pages	SmallPowIRMOSFETs	IRF International Rectifier	IRF
IRLHM630PBF	文件：266.16 Kbytes Page：8 Pages	BatteryOperatedDCMotorInverterMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLHM630PBF	文件：241.21 Kbytes Page：9 Pages	BatteryOperatedDCMotorInverterMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLHM630TRPBF	文件：266.16 Kbytes Page：8 Pages	BatteryOperatedDCMotorInverterMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI630A	文件：226.75 Kbytes Page：7 Pages	ADVANCEDPOWERMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4? ID=9A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?150°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ?LowerRDS(ON):0.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLI630A	文件：226.75 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4? ID=9A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?150°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ?LowerRDS(ON):0.	IRF International Rectifier	IRF
IRLI630A	文件：274.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLI630G	文件：337.13 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.40ohm,Id=6.2A) VDSS=200V RDS(on)=0.40? ID=6.2A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalins	IRF International Rectifier	IRF
IRLI630G	文件：1.02856 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200 RDS(on)(Ω)VGS=5.0V0.40 Qg(Max.)(nC)40 Qgs(nC)5.5 Qgd(nC)24 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRLI630GPBF	文件：1.41327 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.40? ID=6.2A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalins	IRF International Rectifier	IRF

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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深圳市維爾達(dá)電子有限公司	IRL630APBF	VBsemi	2219+	TO220F	2489	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市中聯(lián)芯電子有限公司	IRL630APBF	VBsemi	24+	TO220F	9000	只做原裝正品有掛有貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	IRL630APBF	I	24+	TO-TO-220F	12300	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
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更多IRL630APBF供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-13 10:13:00

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