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IRLD120PBF	文件：1.75287 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLD120PBF	文件：1.5864 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLD120PBF	文件：813.82 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLF120	文件：548.16 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-39)	IRF International Rectifier	IRF
IRLF120	文件：312.85 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRLM120A	文件：229.86 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ●LowerRDS(ON):0.176?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLM120A	文件：242.09 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLM120ATF	文件：242.09 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLR/U120NPBF	文件：299.66 Kbytes Page：11 Pages	SurfaceMount(IRLR120N) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRLR120	文件：181.33 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description ThirdGenerationPowerMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingt	IRF International Rectifier	IRF
IRLR120	文件：613.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLR120	文件：1.27492 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLR120	文件：332.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLR120	文件：1.06578 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Surface-mount(IRLR120,SiHLR120) ?Straightlead(IRLU120,SiHLU120) ?AvailableintapeandreMel ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLR120A	文件：373.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IRLR120ATF	文件：1.60184 Mbytes Page：4 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=100V,ID=18.1A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
IRLR120N	文件：173.96 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.185ohm,Id=10A)	IRF International Rectifier	IRF
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IRLR120N	文件：335.02 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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更多IRLD120(IR)供應(yīng)商更新時間2025-1-7 14:00:00

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