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IS41LV16100D-50KLI-TR

包裝：托盤 封裝/外殼：42-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS41LV16100D-50TLI

包裝：托盤 封裝/外殼：50-TSOP（0.400"，10.16mm 寬），44 引線 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS41LV16100D-50TLI-TR

包裝：托盤 封裝/外殼：50-TSOP（0.400"，10.16mm 寬），44 引線 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

41LV16100B

1Mx16(16-MBIT)DYNAMICRAMWITHEDOPAGEMODE

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IC41LV16100A

1Mx16(16-MBIT)DYNAMICRAMWITHEDOPAGEMODE

DESCRIPTION TheICSIIC41C16100A(S)andIC41LV16100A(S)are1,048,576x16-bithigh-performanceCMOSDynamicRandomAccessMemories.ThesedevicesofferanacceleratedcycleaccesscalledEDOPageMode.EDOPageModeallows1,024randomaccesseswithinasinglerowwithaccesscycletimeasshor

ICSI

Integrated Circuit Solution Inc

IC41LV16100AS

1Mx16(16-MBIT)DYNAMICRAMWITHEDOPAGEMODE

DESCRIPTION TheICSIIC41C16100A(S)andIC41LV16100A(S)are1,048,576x16-bithigh-performanceCMOSDynamicRandomAccessMemories.ThesedevicesofferanacceleratedcycleaccesscalledEDOPageMode.EDOPageModeallows1,024randomaccesseswithinasinglerowwithaccesscycletimeasshor

ICSI

Integrated Circuit Solution Inc

IC41LV16100S

1Mx16(16-MBIT)DYNAMICRAMWITHEDOPAGEMODE

DESCRIPTION TheICSIIC41C16100SandIC41LV16100Sare1,048,576x16-bithigh-performanceCMOSDynamicRandomAccessMemories.ThesedevicesofferanacceleratedcycleaccesscalledEDOPageMode.EDOPageModeallows1,024randomaccesseswithinasinglerowwithaccesscycletimeasshortas2

ICSI

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IS41LV16100

1Mx16(16-MBIT)DYNAMICRAMWITHEDOPAGEMODE

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IS41LV16100A

1Mx16(16-MBIT)DYNAMICRAMWITHEDOPAGEMODE

DESCRIPTION TheISSIIS41LV16100Ais1,048,576x16-bithigh-performanceCMOSDynamicRandomAccessMemories.ThesedevicesofferanacceleratedcycleaccesscalledEDOPageMode.EDOPageModeallows1,024randomaccesseswithinasinglerowwithaccesscycletimeasshortas20nsper16-bitword

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS41LV16100B

1Mx16(16-MBIT)DYNAMICRAMWITHEDOPAGEMODE

DESCRIPTION TheISSIIS41LV16100Bis1,048,576x16-bithigh-performanceCMOSDynamicRandomAccessMemories.ThesedevicesofferanacceleratedcycleaccesscalledEDOPageMode.EDOPageModeallows1,024randomaccesseswithinasinglerowwithaccesscycletimeasshortas20nsper16-bitword

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS41LV16100S

1Mx16(16-MBIT)DYNAMICRAMWITHEDOPAGEMODE

DESCRIPTION TheICSIIS41C16100SandIS41LV16100Sare1,048,576x16-bithigh-performanceCMOSDynamicRandomAccessMemories.ThesedevicesofferanacceleratedcycleaccesscalledEDOPageMode.EDOPageModeallows1,024randomaccesseswithinasinglerowwithaccesscycletimeasshortas

ICSI

Integrated Circuit Solution Inc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS41LV16100D-50TLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    DRAM - EDO

  • 存儲容量：

    16Mb（1M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    50-TSOP（0.400"，10.16mm 寬），44 引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    50-TSOP II

  • 描述：

    IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ISSI
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2000
原廠原裝,價格優(yōu)勢!13246658303
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更多IS41LV16100D供應(yīng)商 更新時間2025-1-7 9:01:00

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