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IS43DR86400E-25DBL

Package:60-TFBGA;包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR86400E-25DBLI

Package:60-TFBGA;包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS43DR86400E-25DBLI-TR

Package:60-TFBGA;包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS43DR86400E-25DBL

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - DDR2

  • 存儲(chǔ)容量:

    512Mb(64M x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 85°C(TC)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    60-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    60-TWBGA(8x10.5)

  • 描述:

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ISSI, Integrated Silicon Solut
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更多IS43DR86400E-25DBL供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-1 15:39:00