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IS61DDB21M18A-300M3L

包裝：托盤 封裝/外殼：165-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS61DDB21M18A-300M3L

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，DDR II

  • 存儲(chǔ)容量：

    18Mb（1M x 18）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    1.71V ~ 1.89V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    165-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    165-LFBGA（13x15）

  • 描述：

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ISSI, Integrated Silicon Solut
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更多IS61DDB21M18A-300M3L供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-20 13:02:00

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