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IS61NLP25636A-200B3LI-TR

Package:165-TBGA;包裝:卷帶(TR) 類(lèi)別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP25636A-200B3

256Kx36and512Kx189Mb,PIPELINE(NOWAIT)STATEBUSSRAM

DESCRIPTION The9MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas256Kwordsby36bitsand512Kwordsby18bits,fabric

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61NLP25636A-200B3I

256Kx36and512Kx189Mb,PIPELINE(NOWAIT)STATEBUSSRAM

DESCRIPTION The9MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas256Kwordsby36bitsand512Kwordsby18bits,fabric

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS61NLP25636A-200B3LI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,SDR

  • 存儲(chǔ)容量:

    9Mb(256K x 36)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    165-TBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    165-TFBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ISSI(美國(guó)芯成)
2022+原裝正品
TFBGA-165(13x15)
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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