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IXBH32N300HV

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ?HighBlockingVoltage ?HighVoltagePackages ?LowConductionLosses Advantages ?LowGateDriveRequirement ?HighPowerDensity Applications: ?Switched-ModeandResonant-ModePowerSupplies ?UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ?LaserGenerators ?CapacitorDischargeCi

IXYS

IXYS Corporation

IXBH32N300HV

Package：TO-247-3 變式；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2

IXYS

IXYS Corporation

IXBF32N300

HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ?SiliconChiponDirect-CopperBond(DCB)Substrate ?IsolatedMountingSurface ?3000VElectricalIsolation ?HighBlockingVoltage ?InternationalStandardPackage ?LowConductionLosses Advantages ?LowGateDriveRequirement ?HighPowerDensity Applications: ?Switched-M

IXYS

IXYS Corporation

IXBH32N300

PreliminaryTechnicalInformation

IXYS

IXYS Corporation

IXBT32N300HV

HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ?HighBlockingVoltage ?HighVoltagePackages ?LowConductionLosses Advantages ?LowGateDriveRequirement ?HighPowerDensity Applications: ?Switched-ModeandResonant-ModePowerSupplies ?UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ?LaserGenerators ?CapacitorDischargeCi

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXBH32N300HV

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    BIMOSFET?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.2V @ 15V，32A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247HV

  • 描述：

    DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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IXYS/艾賽斯
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原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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IXYS
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IXYS
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IXYS
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更多IXBH32N300HV供應(yīng)商 更新時間2025-2-8 14:31:00

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